Igor Serafimovich Tashlykov

7 de junio de 2016, murió de un derrame cerebral en Minsk.

Tashlykov recibió un premio del presidente de Bielorrusia por contribuciones sobresalientes al desarrollo social y económico de la República en 2012. También fundó un grupo de investigación dedicado al estudio de las características físicas y propiedades de las superficies de materiales como metales, semiconductores.

A partir de 2012, Tashlykov trabajó en la creación de nuevos tipos de capas absorbentes de película delgada económicas y respetuosas con el medio ambiente y contactos portadores de corriente para células solares.

Después de recibir su tesis doctoral, trabajó en el Departamento de Física del Instituto de Tecnología de Bielorrusia, luego rebautizado como Universidad Tecnológica de Bielorrusia, hasta 2003, convirtiéndose en profesor en 1992. En 2003, por invitación del rector de la Maxim Tank Bielorrusa

Tashlykov fue Decano de la Facultad de Física de (2003-2007), Jefe del Departamento de Física General (2007-2013), Profesor del Departamento de Física y Métodos de Enseñanza de la Física (2013-2016) en Maxim Tank Estado bielorruso

En la década de 2000, Tashlykov colaboró ​​​​con el grupo de investigación de P. V. Zhukovsky en la Universidad Tecnológica de Lublin, lo que condujo a una investigación conjunta que se informó en las conferencias internacionales: "Nuevas tecnologías eléctricas y electrónicas y sus implementaciones industriales" y "Implación de iones y otras aplicaciones de

La segunda mitad de la década de 1980 se dedicó a los trabajos de organización de la adquisición, instalación y lanzamiento en el Instituto de Investigación de la APP de una nueva ESU-2.5 producida por la firma "Ingeniería de Alta Tensión", resumiendo los resultados científicos para la coautoría con

Después de comenzar a enseñar en la BSTU en agosto de 1989, Tashlykov comenzó a investigar los procesos físicos en el recubrimiento asistido por iones de materiales y productos en condiciones de auto-radiación.

Tashlykov fue designado para el Grupo de Coordinación sobre los métodos de análisis nuclear rápido del Consejo de la Academia de Ciencias de la URSS (más tarde la Academia de Ciencias de Rusia) sobre la aplicación de métodos de física nuclear en campos relacionados y para el Grupo de Coordinación de Aceleradores Electrostáticos

Tashlykov fue invitado por George Carter a continuar el estudio de los mecanismos de formación de defectos en semiconductores y metales bajo irradiación iónica en la Universidad de Salford en 1984. Al mismo tiempo, junto con John S. Colligon, realizó experimentos para estudiar el efecto de

En 1982, dirigió la organización y realización del Seminario de toda la Unión sobre métodos de análisis nuclear instantáneo en el A.N.

Tashlykov, del Instituto Kurchatov, informó sobre los resultados de los estudios realizados en Canadá sobre la implantación de iones en electrodos utilizados en la electrólisis alcalina para la producción de hidrógeno y oxígeno.

En la década de 1980, Tashlykov fue miembro de los grupos de los Consejos de la Academia de Ciencias de la URSS sobre aceleradores de acción directa y sobre métodos de análisis nuclear rápido.

En 1979-1980, John A. Davis invitó a Tashlykov a realizar una pasantía en la Universidad McMaster y los Laboratorios Nucleares de Chalk River en Canadá, tiempo durante el cual estudió la formación de defectos en el arseniuro de galio durante la implantación de iones de nitrógeno, aluminio, fósforo, arsénico y antimonio.

En 1977, en la Conferencia Internacional sobre Colisiones Atómicas en Sólidos (ICACS) en la Universidad Estatal de Moscú, Tashlykov conoció a John A. Davies de Chalk River Nuclear Laboratories y George Carter de la Universidad de Salford en Manchester.

En la Universidad Estatal de Bielorrusia, Tashlykov comenzó a estudiar las alteraciones de la radiación en el bismuto y sus aleaciones mediante métodos de física nuclear.

Estos resultados fueron la base para el desarrollo del método de cálculo de la concentración de defectos de radiación en monocristales irradiados, utilizando el método de ionometría, teniendo en cuenta la dispersión múltiple de iones de helio canalizados.

Desde principios de la década de 1970, el trabajo de investigación comenzó en la BSU bajo la dirección de G. A. Gumansky sobre las tareas identificadas por el Comité Estatal de Ciencia y Tecnología del Consejo de Ministros de la URSS asociadas con la síntesis de haz de iones de conexiones dobles y triples de

Tashlykov comenzó su trabajo científico estudiando los defectos de radiación en el bismuto y sus aleaciones en 1969 bajo la dirección de Georgy Alexandrovich Humansky y Valery Ivanovich Prokoshin.

Tashlykov nació en Corea del Norte de Serafim Dmitrievich Tashlykov, piloto, y Nina Semenovna Tashlykova, enfermera, mientras estaban estacionados allí con las fuerzas armadas soviéticas antes de mudarse a Babruysk en 1952. Se mudó a Minsk con sus padres en 1962 y terminó

Igor Serafimovich Tashlykov (4 de junio de 1946 - 7 de junio de 2016) fue un físico soviético y bielorruso, que obtuvo el título de Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas (1989).