Mohamed M. Atalla

El MOSFET fue el primer transistor verdaderamente compacto que podía miniaturizarse y producirse en masa para una amplia gama de usos, y pasó a revolucionar la industria electrónica.

En 2014, la invención de 1959 del MOSFET se incluyó en la lista de hitos de IEEE en electrónica.

A partir de 2013, 250 millones de transacciones con tarjeta están protegidas por productos Atalla todos los días.

Su invención del MOSFET inicialmente se pasó por alto en Bell, lo que lo llevó a renunciar a Bell y unirse a Hewlett-Packard (HP), fundando su Semiconductor Lab en 1962 y luego HP Labs en 1966, antes de irse para unirse a Fairchild Semiconductor, fundando su Microwave.

Vivía en Atherton, California.

En 2009, fue incluido en el Salón de la Fama de los Inventores Nacionales por sus importantes contribuciones a la tecnología de semiconductores, así como a la seguridad de los datos.

Atalla Box protegió más del 90% de todas las redes de cajeros automáticos en funcionamiento a partir de 1998 y aseguró el 85% de todas las transacciones de cajeros automáticos en todo el mundo a partir de 2006. Los productos Atalla aún protegen la mayoría de las transacciones de cajeros automáticos del mundo, a partir de 2014.

Como resultado de estas actividades, fundó la empresa TriStrata Security en 1996. A diferencia de la mayoría de los sistemas de seguridad informáticos convencionales de la época, que construían muros alrededor de toda la red informática de una empresa para proteger la información de ladrones o espías corporativos, TriStrata tomó

No pasó mucho tiempo hasta que varios ejecutivos de grandes bancos lo persuadieron para que desarrollara sistemas de seguridad para que Internet funcionara.

En 1987, Atalla Corporation se fusionó con Tandem Computers.

En la conferencia de la Asociación Nacional de Cajas de Ahorro Mutuas (NAMSB) en enero de 1976, Atalla anunció una actualización de su sistema Identikey, llamado Interchange Identikey.

Atalla recibió la Medalla Stuart Ballantine (ahora la Medalla Benjamin Franklin en física) en los Premios del Instituto Franklin de 1975, por sus importantes contribuciones a la tecnología de semiconductores de silicio y su invención del MOSFET.

Dejó la industria de los semiconductores en 1972 y comenzó una nueva carrera como empresario en criptografía y seguridad de datos.

En 1972, Atalla presentó la patente de EE. UU. 3.938.091 para un sistema de verificación remota de PIN, que utilizaba técnicas de encriptación para garantizar la seguridad del enlace telefónico al ingresar información de identificación personal, que se transmitiría como datos encriptados a través de redes de telecomunicaciones a una ubicación remota para su verificación.

El trabajo de Atalla a principios de la década de 1970 condujo al uso de módulos de alta seguridad.

En 1969, dejó HP y se unió a Fairchild Semiconductor.

Atalla ayudó a crear HP Labs en 1966. Dirigió su división de estado sólido.

Continuó investigando sobre diodos Schottky, mientras trabajaba con Robert J. Archer, en HP Associates.

En 1962, Atalla se unió a Hewlett-Packard, donde cofundó Hewlett-Packard and Associates (HP Associates), que proporcionó a Hewlett-Packard capacidades fundamentales de estado sólido.

Atalla propuso el concepto del chip de circuito integrado MOS en 1960. Señaló que la facilidad de fabricación del transistor MOS lo hacía útil para chips IC.

En 1960, Atalla y Kahng fabricaron el primer MOSFET con un espesor de óxido de puerta de 100 nm, junto con una longitud de puerta de 20 µm.

Ampliando su trabajo en la tecnología MOS, Atalla y Kahng luego realizaron un trabajo pionero en dispositivos portadores calientes, que usaban lo que más tarde se llamaría una barrera de Schottky.

En el Semiconductor Lab durante la década de 1960, lanzó un programa de investigación de ciencia de materiales que proporcionó una tecnología base para dispositivos de arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) y arseniuro de indio (InAs).

Atalla publicó por primera vez sus hallazgos en memorandos de BTL durante 1957, antes de presentar su trabajo en una reunión de la Sociedad Electroquímica en 1958, la Conferencia de Investigación de Dispositivos Semiconductores de Ingenieros de Radio.

Entre 1956 y 1960, Atalla dirigió un pequeño equipo de varios investigadores de BTL, incluidos Eileen Tannenbaum, Edwin Joseph Scheibner y Dawon Kahng.

A pesar de trabajar principalmente por su cuenta, Atalla y su equipo lograron avances significativos en la tecnología de semiconductores.

Hizo un gran avance con su desarrollo del proceso de pasivación de superficies.

Nacido en Port Said, Egipto, se educó en la Universidad de El Cairo en Egipto y luego en la Universidad de Purdue en los Estados Unidos, antes de unirse a Bell Labs en 1949 y luego adoptar los más anglosajones "John" o "Martin" M. Atalla como nombres profesionales.

Después de completar su doctorado en la Universidad de Purdue, Atalla trabajó en Bell Telephone Laboratories (BTL) en 1949. En 1950, comenzó a trabajar en las operaciones de Bell en la ciudad de Nueva York, donde trabajó en problemas relacionados con la confiabilidad de los relés electromecánicos y trabajó en

Mohamed Mohamed Atalla nació en Port Said, Egipto.

Mohamed M. Atalla (árabe: محمد عطاالله; 4 de agosto de 1924 - 30 de diciembre de 2009) fue un ingeniero, físico, criptógrafo, inventor y empresario egipcio-estadounidense.

Sobre la base de su investigación pionera anterior sobre los procesos de pasivación superficial y oxidación térmica, Atalla desarrolló el proceso de metal-óxido-semiconductor (MOS).