Edad, Biografía y Wiki
Morton B. Panish nació el 8 de abril de 1929 en Brooklyn, Nueva York.
| Popular como |
N/A |
| Ocupación |
N/A |
| Edad |
94 años |
| Signo del zodiaco |
8 April, 1929 | s
| Nacida |
8 April 1929 |
| Cumpleaños |
8 April |
| Lugar de nacimiento |
Brooklyn, New York |
| Nacionalidad |
New York |
Te recomendamos consultar la lista completa de Famosos nacidos el 8 April.
El es miembro de famosos con la edad 94 años grupo.
Morton B. Panish Altura, peso y medidas
A sus 94 años, la altura de Morton B. Panish no está disponible en este momento. Actualizaremos la altura, el peso, las medidas corporales, el color de ojos, el color de cabello, el tamaño de los zapatos y la vestimenta de Morton B. Panish lo antes posible.
| Estado físico |
| Altura |
No disponible |
| Peso |
No disponible |
| Medidas corporales |
No disponible |
| Color de los ojos |
No disponible |
| Color de pelo |
No disponible |
¿Quién es la esposa de Morton B. Panish?
Su esposa es Evelyn Wally Chaim (20 August 1951)
| Familia |
| Los padres |
No disponible |
| Esposa |
Evelyn Wally Chaim (20 August 1951) |
| Hermana |
No disponible |
| Niños |
Steven Chaim Panish, Paul William Panish, Deborah Faye Panish |
Morton B. Panish Net Worth
El valor neto ha estado creciendo significativamente en 2022-2023. Entonces, ¿cuánto vale Morton B. Panish a la edad de 94 años? La fuente de ingresos de Morton B. Panish proviene principalmente de ser un exitoso. él es de New York. Hemos estimado el patrimonio neto, el dinero, el salario, los ingresos y los activos de Morton B. Panish.
| Valor neto en 2023 |
$1 Million - $5 Million |
| Salario en 2023 |
Bajo revisión |
| Valor neto en 2022 |
Pendiente |
| Salario en 2022 |
Bajo revisión |
| Casa |
No disponible |
| Coches |
No disponible |
| Fuente de ingreso |
|
Morton B. Panish Red social
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Cronología
Compartió el Premio Kyoto en Tecnología Avanzada en 2001. Premio de la División Electrónica de la Sociedad Electroquímica 1979. Compartió el Premio C & C (Japón) con Izuo Hayashi en 1987. Medallista de Estado Sólido de la Sociedad Electroquímica 1986. Premio Internacional de Crecimiento de Cristal 1990
Los láseres de temperatura ambiente pronto se duplicaron en RCA Laboratories, Standard Telecommunication Laboratories y Nippon Electric Corporation (NEC).
Herbert Kroemer propuso teóricamente una solución al problema en 1963: un láser de doble heterounión, pero no logró sugerir una combinación adecuada de semiconductores (emparejados en celosía).
Después del trabajo con láseres de doble heteroestructura, Panish continuó demostrando variantes de las estructuras láser con otros colaboradores en trabajos realizados hasta fines de la década de 1970, pero el objetivo principal de su trabajo durante el resto de su carrera (hasta 1992) fue explotar las nuevas oportunidades.
En 1966, Galt le pidió a Panish e Izuo Hayashi, un físico de Japón, que investigaran un problema relacionado con los diodos láser.
Antes del trabajo en Oak Ridge, Panish se había postulado para Bell Labs y había sido rechazado, pero ahora lo contrataron.
De 1954 a 1957, Panish trabajó para el Laboratorio Nacional de Oak Ridge en Tennessee, estudiando la termodinámica química de las sales fundidas.
Inicialmente, Panish se especializó en química orgánica.
Morton B. Panish (nacido el 8 de abril de 1929) es un químico físico estadounidense que, con Izuo Hayashi, desarrolló un láser semiconductor de onda continua a temperatura ambiente en 1970. Por este logro compartió el Premio Kyoto en Tecnología Avanzada en 2001.
Morton Panish nació en Brooklyn el 8 de abril de 1929 de Isidore Panish y Fanny Panish (de soltera Glasser) y creció en Brooklyn.
